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主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。


由于触发电路工作于交流电路，在交流电压正负半周分别发出一个正脉冲和负脉冲触发V，V在正、负半周内对称地各导通一次。减少电位器RP的阻值，可使C3充电速度加快，缩短C3两端电压达到VD转折导通电压的时间，即减少了V的控制角，增大了导通角，使输出电压升高，反之则输出电压降低，因而可调整电热毯的发热功率。图中，EL是电源指示灯，Rl、R3是限流电阻；RC2组成晶闸管的保护电路，L、C1组成低通滤波电路，用来防止射频干扰。

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